### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-250 (at I_C = -10mA, V_CE = -5V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  

### **Features:**  
- **High DC Current Gain (h_FE)**  
- **Low Saturation Voltage**  
- **Complementary to NPN KSP42**  
- **TO-92 Package**  

This transistor is commonly used in audio amplification, signal processing, and switching circuits.