NPN Epitaxial Silicon Transistor Part KSP8099 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSP8099 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It features high current gain and low saturation voltage, making it suitable for use in low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency (f_T)  
- Suitable for switching and amplification  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Fairchild's official datasheet.