### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -300V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 (min)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- High voltage capability  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Low leakage current  
- Complementary to NPN transistor **KSP42BU**  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **KSP92BU** transistor.