Low Forward Voltage Drop Low Power Loss, High Efficiency, High Surge Current Capability The KSQ60A03LB is a power MOSFET manufactured by NIEC (Nippon International Electronics Corporation). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Low on-resistance ensures minimal conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Handling:** Supports up to 60A continuous drain current.  
- **Robust Design:** TO-220 package provides good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.