NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSR1009** is manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 150mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (typical)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Description:**  
The **KSR1009** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is suitable for low-power, high-speed circuits and is commonly used in consumer electronics, signal processing, and RF applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency for fast switching  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs  
- RoHS compliant  

This information is based on Fairchild Semiconductor's documentation for the KSR1009 transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor