NPN (SWITCHING APPLICATION) The part **KSR1012** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Package Type:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **High current gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Low saturation voltage**  
- **Designed for reliability and stability in general-purpose circuits**  
- **Suitable for audio amplification, signal processing, and switching applications**  

These are the confirmed specifications and features of the **Toshiba KSR1012** transistor. No additional guidance or suggestions are included.