### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KSR1103MTF is a general-purpose NPN transistor designed for low-power amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- High transition frequency (fT) for RF and high-speed applications  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  

(Note: Always verify datasheet details for the latest specifications.)