NPN Epitaxial Silicon Transistor Part **KSR1104** is manufactured by **SAMSUNG**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KSR1104  
- **Type:** Semiconductor component (likely a transistor or IC, but exact type not specified in Ic-phoenix technical data files).  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for use in electronic circuits, possibly for switching or amplification applications.  
- May include features such as low power consumption, high reliability, and compatibility with SAMSUNG's standard semiconductor technologies.  

(Note: Detailed technical parameters such as voltage, current ratings, or package type are not provided in Ic-phoenix technical data files.)

NPN Epitaxial Silicon Transistor **Part Number:** KSR1104  

**Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)  

**Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5 V (typical at 1 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (maximum at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123 (Surface Mount)  

**Descriptions:**  
The KSR1104 is a Schottky barrier diode designed for high-efficiency rectification applications. It features low forward voltage drop and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits.  

**Features:**  
- Low forward voltage drop for reduced power loss  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- High reliability  
- Surface-mount package for compact designs  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part KSR1104 from the manufacturer KEC:

### **Specifications:**
1. **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
2. **Maximum Ratings:**  
   - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
   - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
   - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
   - Collector Current (IC): 150mA  
   - Total Power Dissipation (PT): 250mW (at Ta=25°C)  
   - Operating and Storage Temperature Range (Tj, Tstg): -55°C to +150°C  

3. **Electrical Characteristics:**  
   - DC Current Gain (hFE): 120~400 (at VCE=6V, IC=2mA)  
   - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.3V (max) (at IC=50mA, IB=5mA)  
   - Transition Frequency (fT): 250MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- The KSR1104 is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is packaged in a small SOT-23 surface-mount form factor.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT).  
- Compact SOT-23 package for space-saving PCB designs.  

For further details, refer to the official KEC datasheet.