### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.034Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Performance** suitable for high-frequency applications.  
- **Fully Molded TO-220F Package** improves thermal performance and reliability.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to KEC's official documentation.