### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (MOSFET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ @ V_GS = 4.5V, 70mΩ @ V_GS = 2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V - 1V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **low voltage, high-speed switching** applications.  
- **Low on-resistance** for improved efficiency.  
- **Logic-level compatible gate drive** (can be driven by 3.3V or 5V logic).  
- **Fast switching speed** for power management applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Packaging:** SOT-23 (3-Lead)  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, load switches, motor control, and power management circuits**.  

(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet)