### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KSR2114  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The **KSR2114** is a high-frequency NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is commonly used in RF (Radio Frequency) circuits, signal amplification, and low-power switching.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (f_T):** Suitable for RF and high-speed applications.  
- **Low Noise:** Ideal for signal amplification in sensitive circuits.  
- **Compact SOT-23 Package:** Suitable for space-constrained PCB designs.  
- **Reliable Performance:** Manufactured by SAMSUNG with consistent quality standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.