PNP (SWITCHING APPLICATION) The KSR2202 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120-250 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSR2202 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Reliable performance in amplification circuits  

This transistor is commonly used in audio amplifiers, signal processing, and low-power switching applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details before implementation.)

PNP (SWITCHING APPLICATION) The KSR2202 is a transistor manufactured by FAILCHIL. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KSR2202 is a general-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it compact and easy to use in various circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power applications.  

This information is based solely on the manufacturer's provided data.

PNP (SWITCHING APPLICATION) The part **KSR2202** is a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)**.  

### **Manufacturer:**  
- **Fairchild Semiconductor (FSC)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP BJT  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120-400 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain (hFE) for better signal amplification.  
- Suitable for surface-mount applications (SOT-23 package).  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSR2202 transistor.