### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 40V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120-400  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- A general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT).  
- Suitable for amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Commonly used in consumer electronics, audio circuits, and driver stages.  

For detailed datasheets, refer to **AUK's official documentation**.