NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST13** from manufacturer **SAMSUNG** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KST13  
- **Type:** Semiconductor component (specific function not detailed in Ic-phoenix technical data files)  
- **Technology:** Likely related to memory or storage (exact type unspecified)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Compatibility:** Designed for integration into Samsung electronic devices or systems.  
- **Performance:** Optimized for reliability and efficiency (exact metrics not provided).  
- **Applications:** Potentially used in consumer electronics, such as smartphones, tablets, or SSDs (specific use case not confirmed).  

No further technical specifications (e.g., dimensions, voltage, capacity) or additional features are available in Ic-phoenix technical data files.

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST13** from the manufacturer **KEC**:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** KST13  
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (min)  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 ~ 320 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The **KST13** is a general-purpose NPN transistor designed for high-frequency amplification and switching applications.  
- It features low saturation voltage and high current gain, making it suitable for small-signal amplification.  
- The SOT-23 package ensures compact and efficient PCB mounting.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (fT):** Ensures good performance in RF and high-speed switching circuits.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Wide hFE Range:** Provides flexibility in circuit design.  
- **Compact SOT-23 Package:** Suitable for space-constrained applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.