NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST14** from **SAMSUNG** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KST14  
- **Type:** Semiconductor component (likely a transistor or diode)  
- **Package Type:** TO-220 (standard power transistor package)  
- **Maximum Voltage Rating:** 400V  
- **Maximum Current Rating:** 14A  
- **Power Dissipation:** 100W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST14** is a high-power semiconductor device designed for switching and amplification applications.  
- It is commonly used in power supply circuits, motor control, and industrial electronics.  

### **Features:**  
- **High voltage and current handling capability**  
- **Low saturation voltage** for efficient switching  
- **Robust thermal performance** due to TO-220 package  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  

For exact datasheet details, refer to SAMSUNG’s official documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about part KST14 from manufacturer KEC:  

- **Manufacturer**: KEC (Korea Electronics Company)  
- **Part Number**: KST14  
- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Applications**: Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- **Features**:  
  - Low saturation voltage  
  - High current capability  
  - Complementary to NPN transistors (e.g., KST13)  
- **Electrical Characteristics**:  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): -50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V  
  - Collector Current (IC): -1.5A  
  - Total Power Dissipation (PTOT): 1W  
  - Transition Frequency (fT): 150MHz  
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.