### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (typical)  
- **Transition Frequency (ft):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits due to its SOT-23 package.  
- Commonly used in consumer electronics, signal processing, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SMD package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheets for precise application details.)

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at VCE = -5V, IC = -150mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KST2907A-MTF is a PNP epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features high current gain and low saturation voltage, making it suitable for low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Compact SOT-23 package  
- Suitable for switching and amplification  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics, refer to the official KEC datasheet.