NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KST3904** is a **PNP bipolar junction transistor (BJT)** manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -200mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST3904** is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The device is characterized by high current gain, low noise, and good linearity, making it useful in audio and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- **High current gain (hFE)** for improved signal amplification.  
- **Low saturation voltage**, enhancing switching efficiency.  
- **Complementary pair** available with NPN transistor **KST3906**.  
- **Wide operating temperature range**, allowing use in various environments.  

This transistor is commonly used in **amplifiers, switching circuits, and driver stages** in electronic designs.  

*(Note: Always verify datasheets for exact specifications, as variations may exist.)*

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KST3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor (formerly part of Fairchild Semiconductor)  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 – 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-power amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low noise performance, making it suitable for audio applications.  
- Fast switching speed, useful in digital circuits.  
- Complementary PNP transistor: KST3906.  
- Commonly used in signal amplification, oscillator circuits, and driver stages.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.