NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KST3904** is a **PNP bipolar junction transistor (BJT)** manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -200mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST3904** is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The device is characterized by high current gain, low noise, and good linearity, making it useful in audio and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- **High current gain (hFE)** for improved signal amplification.  
- **Low saturation voltage**, enhancing switching efficiency.  
- **Complementary pair** available with NPN transistor **KST3906**.  
- **Wide operating temperature range**, allowing use in various environments.  

This transistor is commonly used in **amplifiers, switching circuits, and driver stages** in electronic designs.  

*(Note: Always verify datasheets for exact specifications, as variations may exist.)*

NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KST3904 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor (formerly part of Fairchild Semiconductor)  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 – 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-power amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low noise performance, making it suitable for audio applications.  
- Fast switching speed, useful in digital circuits.  
- Complementary PNP transistor: KST3906.  
- Commonly used in signal amplification, oscillator circuits, and driver stages.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor