NPN Epitaxial Silicon Transistor The KST3904MTF is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (3-pin surface mount)  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics, signal processing, and RF applications.  
- RoHS compliant and lead-free.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- High transition frequency (f_T) for RF and high-speed applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to ON Semiconductor's official documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KST3904MTF is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (仙童). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-power amplification and switching applications.  
- Suitable for high-speed switching due to its fast transition frequency.  
- Commonly used in signal amplification, driver stages, and general-purpose circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE).  
- Low noise performance.  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the Fairchild Semiconductor datasheet.