PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SAMSUNG. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching performance.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, audio amplifiers, and signal processing circuits.  
- Encased in a TO-92 package for easy mounting and prototyping.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KST3906 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is complementary to the NPN KST3904 transistor.  

### **Features:**  
- Low voltage, low current operation  
- High current gain (h_FE)  
- Fast switching speed  
- Suitable for small-signal amplification  
- TO-92 package (through-hole mounting)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST3906 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (varies by operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KST3906 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The transistor is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low noise performance, making it suitable for audio applications.  
- Fast switching speed, useful in digital circuits.  
- Complementary NPN counterpart: **KST3904** (for push-pull configurations).  

For exact performance characteristics, refer to the official **SAMSUNG datasheet**.