NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KST4123MTF** is manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST4123MTF** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-23** package, making it suitable for space-constrained PCB designs.  
- Commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  

### **Features:**  
- **High current gain (h_FE)** for efficient signal amplification.  
- **Low saturation voltage** for improved switching performance.  
- **High transition frequency (f_T)** for RF and high-speed applications.  
- **RoHS compliant** (lead-free and environmentally friendly).  

For exact performance characteristics, refer to the official **Fairchild/ON Semiconductor datasheet**.