PNP Epitaxial Silicon Transistor **Part Number:** KST4125  
**Manufacturer:** KEC  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KST4125 is a high-frequency NPN transistor designed for amplification in RF applications. It features low noise and high gain, making it suitable for use in communication devices and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT) for RF applications  
- Low noise performance  
- High current gain (hFE)  
- Compact package (TO-92) for easy integration  
- Suitable for small-signal amplification  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to KEC's official documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor Part KST4125 is manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 ~ 400 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~250MHz  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The KST4125 is a small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) range for flexibility in circuit design.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SMD package for space-constrained applications.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (f_T).  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.