### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KST4401-MTF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

### **Descriptions:**
- A high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Optimized for low on-resistance and high-speed switching.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **Fully molded TO-220F package** for improved thermal performance.  
- **High current handling capability** (30A continuous).  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.