### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KST4403-MTF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

### **Descriptions:**
- A high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Features low on-resistance and high current capability for efficient power management.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in switching circuits.  
- **Fully Molded Package:** Provides improved thermal performance and reliability.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS=10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KST4403-MTF is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is suitable for power management, DC-DC converters, and load switching in portable electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to the official KEC documentation.