PNP Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about part **KST4403** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **KST4403** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Suitable for power management and DC-DC converter applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **KST4403** by **SAMSUNG**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor **Manufacturer:** SAMSUNG  

**Part Number:** KST4403  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 60W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

(Note: Ensure to verify datasheet details for exact application requirements.)

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST4403** from the **FAIRCHILD** manufacturer:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The **KST4403** is a general-purpose **PNP transistor** designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits due to its moderate current and voltage ratings.  

### **Features:**  
- **High Current Gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching.  
- **Complementary Pair:** Often paired with the **KST4401 (NPN)** transistor.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used in through-hole PCB designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. No additional guidance or suggestions are included.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part KST4403 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The device is characterized by high current gain, low saturation voltage, and fast switching speed.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Complementary NPN type: KST4401  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST4403 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part KST4403 is a transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Fairchild Semiconductor (FSC)  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 150mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST4403 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor