PNP Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about part **KST4403** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **KST4403** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Suitable for power management and DC-DC converter applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **KST4403** by **SAMSUNG**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor **Manufacturer:** SAMSUNG  

**Part Number:** KST4403  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 60W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

(Note: Ensure to verify datasheet details for exact application requirements.)

PNP Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST4403** from the **FAIRCHILD** manufacturer:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The **KST4403** is a general-purpose **PNP transistor** designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits due to its moderate current and voltage ratings.  

### **Features:**  
- **High Current Gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching.  
- **Complementary Pair:** Often paired with the **KST4401 (NPN)** transistor.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used in through-hole PCB designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. No additional guidance or suggestions are included.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part KST4403 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The device is characterized by high current gain, low saturation voltage, and fast switching speed.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Complementary NPN type: KST4401  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST4403 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part KST4403 is a transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Fairchild Semiconductor (FSC)  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 150mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KST4403 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST4403 transistor.