### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KST5087  
- **Type:** Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 0.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 320  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**
- The **KST5087** is an **NPN bipolar junction transistor (BJT)** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching operations.  

### **Features:**
- **High current gain (hFE)** for efficient signal amplification.  
- **Low noise** performance, suitable for audio applications.  
- **Compact TO-92 package**, making it easy to integrate into various circuit designs.  
- **Reliable performance** in switching and amplification tasks.  

These details are based on the manufacturer's specifications and datasheet for **KST5087**. Let me know if you need further assistance.

### **Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 0.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (ft):** 100MHz  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The KST5087 is a general-purpose NPN bipolar transistor designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits, audio amplifiers, and signal processing.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range  
- Low noise performance  
- Suitable for small-signal amplification  
- Compact TO-92 package for easy mounting  

For detailed electrical characteristics, refer to the official SAMSUNG datasheet.