NPN Epitaxial Silicon Transistor **Part Number:** KST5089-MTF  
**Manufacturer:** SAMSUNG  
### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 30V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 0.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300  
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz  
- **Package Type:** SOT-23  
### **Descriptions:**  
- A small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics and communication devices.  
### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Reliable performance in a wide range of operating conditions.  
This information is based on the manufacturer's datasheet for part KST5089-MTF.