PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KST5401MTF** is manufactured by **FAI**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** FAI  
### **Part Number:** KST5401MTF  

#### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor (specific type not specified in Ic-phoenix technical data files).  
- **Package:** MTF (likely a surface-mount package).  
- **Voltage Rating:** Not explicitly stated.  
- **Current Rating:** Not explicitly stated.  

#### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-performance applications (exact applications not detailed).  
- Surface-mount technology (SMT) compatible.  
- May include features typical of FAI transistors (e.g., reliability, efficiency).  

(Note: Ic-phoenix technical data files does not provide exhaustive technical details such as exact voltage/current ratings, pin configurations, or application notes.)

PNP Epitaxial Silicon Transistor **Part Number:** KST5401MTF  
**Manufacturer:** FAIRCHILD  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The KST5401MTF is a PNP bipolar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for low-power applications where high voltage and current handling are required.  

### **Features:**  
- High voltage capability (V_CEO = -160V)  
- Low saturation voltage  
- Complementary NPN type available (KST5551)  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs  
- RoHS compliant  

This transistor is commonly used in power management, signal amplification, and switching circuits.