NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KST5550-MTF** is manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST5550-MTF** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact **SOT-23** package, making it suitable for space-constrained PCB designs.  
- Manufactured by **SAMSUNG**, it is known for reliability and performance in low-power circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 60V collector-emitter voltage.  
- **Moderate Current Handling:** Capable of switching up to 600mA.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications (f_T = 100MHz).  
- **Low Noise:** Ideal for signal amplification in audio and RF circuits.  
- **Compact SMD Package:** SOT-23 footprint for modern electronics.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.