### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 160V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High voltage capability with moderate current handling.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics, industrial controls, and automotive applications.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **KEC datasheet**.