PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST93 is a PNP transistor manufactured by Fairchild Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current capability with moderate speed performance.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, industrial controls, and signal processing.  
- Available in TO-92 package for easy mounting.  

For exact performance under specific conditions, refer to the official Fairchild datasheet.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KST93** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Category:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 30V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 500mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The **KST93** is an NPN bipolar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Small form factor (SOT-23)  
- Suitable for low-power applications  
- Reliable performance in switching circuits  

This transistor is commonly used in signal amplification, driver stages, and switching circuits in consumer electronics and industrial applications.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST93 is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -0.5A (Max)  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 ~ 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low to medium power circuits.  
- High current gain (hFE) range for improved performance in signal amplification.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Commonly used in audio amplifiers, driver circuits, and switching applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.