### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -150mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 600  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **KTA1267-Y** is a high-voltage PNP bipolar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in audio circuits, signal amplification, and low-power switching.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Low noise performance  
- High current gain (hFE)  
- Suitable for small-signal amplification  
- Compact TO-92 package  

Let me know if you need any additional details.

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 120-400 (at IC = -100mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power and medium-speed circuits.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range.  
- Low saturation voltage.  
- High transition frequency for improved performance in switching applications.  
- Reliable and widely used in consumer electronics and industrial circuits.  

For exact application details, refer to the manufacturer’s datasheet.