EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT) Part number **KTA1283** is a **PNP Epitaxial Planar Transistor** manufactured by **MIT (Mitsubishi Electric)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 625mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at IC = -100mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power and medium-speed switching circuits.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance.  

This transistor is commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise specifications before use.)