EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KTA1504S is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 9V  
- **Collector Current (I_C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_C):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15–60 (at I_C = 3A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-3P (also known as TO-247)  

### **Description:**  
The KTA1504S is designed for high-voltage switching and amplification applications, commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits. It features a rugged construction suitable for demanding industrial environments.

### **Features:**  
- High breakdown voltage (400V V_CEO)  
- High current capability (6A)  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- Robust TO-3P package for better thermal dissipation  
- Suitable for high-power applications  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR