### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High current capability  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose applications  
- Epitaxial planar construction for improved performance  

### **Package:**  
- **TO-92** (Standard through-hole package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the KTA1664 transistor.

### **Specifications:**  
- **Type:** High-power RF transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package Type:** TO-3P  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 150W  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 230V  
- **Collector Current (Ic):** 15A  
- **Transition Frequency (ft):** 30MHz  
- **Gain (hFE):** 15-60  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KTA1664 is a high-power RF transistor designed for use in amplification and switching applications. It is built with robust silicon material, ensuring reliability in demanding environments.  

### **Features:**  
- High power dissipation capability  
- Suitable for RF and linear amplification  
- Robust TO-3P package for efficient heat dissipation  
- Wide operating temperature range  
- Medium-frequency operation  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.