EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING) The KTA2012E is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 85mΩ (V_GS=-4.5V, I_D=-2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V (V_DS=-10V, I_D=-250μA)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTA2012E is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is commonly used in power management circuits, DC-DC converters, and load switching.  
- The device is housed in a SOT-23 package, making it suitable for compact designs.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SOT-23 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **Low Threshold Voltage:** Enhances performance in low-voltage circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING)