EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING) The KTA2012V is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 85mΩ (V_GS=-4.5V), 120mΩ (V_GS=-2.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KTA2012V is a small-signal P-Channel MOSFET designed for low-voltage switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for low-voltage applications.  

For exact technical details, always refer to the official KEC datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING)

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING) The KTA2012V is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 60mΩ (V_GS = -4.5V)  
  - 50mΩ (V_GS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KTA2012V is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Suitable for low-voltage operation.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official KEC datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING)