IC Phoenix logo

Home ›  K  › K14 > KTA2012V

KTA2012V from KEC

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

13.672ms

KTA2012V

Manufacturer: KEC

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KTA2012V KEC 21500 In Stock

Description and Introduction

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING) The KTA2012V is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Drain Current (ID):** -4.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (VGS=-4.5V), 120mΩ (VGS=-2.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KTA2012V is a small-signal P-Channel MOSFET designed for low-voltage switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for efficient power handling.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for low-voltage applications.  

For exact technical details, always refer to the official KEC datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KTA2012V KEC 4000 In Stock

Description and Introduction

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING) The KTA2012V is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Drain Current (ID):** -4.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):**  
  - 60mΩ (VGS = -4.5V)  
  - 50mΩ (VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KTA2012V is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage switching applications.  
- It is suitable for power management in portable devices, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Suitable for low-voltage operation.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official KEC datasheet.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips