PNP Plastic-Encapsulate Transistors The KTA2014-GR is a component manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -2A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTA2014-GR is a **PNP silicon transistor** designed for low-power amplification and switching applications.  
- It comes in a **TO-92 package**, making it suitable for compact circuit designs.  
- It is commonly used in **audio amplifiers, signal processing, and driver circuits**.  

### **Features:**  
- **High current gain (hFE)** for improved amplification efficiency.  
- **Low saturation voltage**, enhancing switching performance.  
- **Epitaxial planar construction** for stable operation.  
- **RoHS compliant**, ensuring environmental safety.  

These details are based on standard datasheet information for the KTA2014-GR transistor from KEC. For precise application guidelines, always refer to the official datasheet.