EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) Here are the factual details about part **KTC3198** from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Polarity:** NPN  

### **Electrical Characteristics**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 150mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 70–240 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  

### **Descriptions and Features**  
- **Application:** General-purpose amplification and switching.  
- **Complementary PNP Transistor:** KTA1268  
- **Low Noise:** Suitable for small-signal amplification.  
- **High Current Gain:** Provides efficient signal amplification.  
- **Wide Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C.  

This information is based solely on the available technical specifications for the **KTC3198** transistor.