### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V  
- **Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-320 (at Ic=10mA, Vce=1V)  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KTC3199-GR is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits, audio amplifiers, and signal processing.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low noise performance  
- Suitable for high-frequency applications  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  

This transistor is a reliable choice for electronic designs requiring stable amplification and switching capabilities.