### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-320 (at IC = -100mA, VCE = -1V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics and industrial applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- Available in TO-92 package for easy mounting.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)