EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING) Part Number: **KTC3209**  
Manufacturer: **KEC (Korea Electronics Company)**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -3A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTC3209 is a PNP power transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-220 package, providing efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- High current capability (up to 3A)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- Suitable for power amplification and switching circuits  
- Robust construction for reliable performance  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING)