EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH-DEFINITION CRT DISPLAY VIDEO OUTPUT) The part **KTC3502** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Collector Current (I_C):** 0.1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 400  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- High DC current gain range for improved performance in various circuits.  

For exact electrical characteristics, refer to the official **KEC datasheet**.