EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR The part **KTC3542T** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -2A  
- **Total Power Dissipation (P_TOT):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KTC3542T** is a PNP silicon transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It comes in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet**.