### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -2A  
- **Power Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-speed switching circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Fast switching speed.  
- Epitaxial planar construction for improved performance.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.