### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 3A (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W (max)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60-320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220 (through-hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and fast switching speed.  
- Suitable for power management, motor control, and audio amplification.  
- Robust construction with reliable performance in industrial environments.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed electrical characteristics and application guidelines.)