### Specifications:  
- **Type**: PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -3A  
- **Power Dissipation (PD)**: 25W  
- **Junction Temperature (TJ)**: 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG)**: -55°C to +150°C  

### Features:  
- High current capability  
- Low saturation voltage  
- Complementary to NPN transistor KTD4075  
- Suitable for power amplification and switching applications  

### Package:  
- **TO-220** (Through-hole package)  

### Applications:  
- Power switching circuits  
- Motor control  
- Audio amplifiers  
- General-purpose amplification