EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING) Part Number: KTC4379  
Manufacturer: 长电 (Changjiang Electronics Technology, CJT)  

**Specifications:**  
- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA  
- **Power Dissipation (PD)**: 350mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-300 (typically)  
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz  

**Descriptions:**  
The KTC4379 is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for use in consumer electronics, power management circuits, and signal processing.  

**Features:**  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- High transition frequency for fast switching  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from 长电 (CJT).

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING) The KTC4379 is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Known for its reliability and efficiency, this component is commonly used in audio amplifiers, power management circuits, and signal processing systems.  

With a collector current rating of up to 4A and a collector-emitter voltage (V_CE) of 60V, the KTC4379 offers robust performance in medium-power applications. Its low saturation voltage ensures minimal power loss, making it suitable for energy-efficient designs. Additionally, the transistor features a high current gain (h_FE), enhancing signal amplification in various circuits.  

The KTC4379 is housed in a TO-220 package, providing effective thermal dissipation and mechanical stability. This makes it ideal for applications requiring prolonged operation under moderate loads. Engineers and hobbyists alike appreciate its ease of integration into existing circuit designs, thanks to its standardized pin configuration.  

Whether used in linear regulators, motor drivers, or audio output stages, the KTC4379 delivers consistent performance across a wide range of operating conditions. Its balance of power handling, gain, and thermal properties makes it a versatile choice for electronic projects demanding dependable PNP transistor functionality.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING) **Part Number:** KTC4379  
**Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -4A  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 30W  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (at IC = -2A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (Typical)  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current capability with low saturation voltage.  
- Suitable for power management and driver circuits.  

### **Features:**  
- **Package:** TO-220 (Through-hole mounting)  
- **Low Collector-Emitter Saturation Voltage:** VCE(sat) = -0.5V (Max) at IC = -4A  
- **High Current Gain Linearity**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

For detailed datasheet, refer to the manufacturer's documentation.