EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT) The KTC8050 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The KTC8050 is a general-purpose PNP transistor used in amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  
- The device is designed for low to medium power applications.  

### **Features:**
- High current gain (h_FE) range.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for improved high-frequency performance.  
- Suitable for use in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)