EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR **Manufacturer Specifications for KTC9018S:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–400 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The KTC9018S is a small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits, RF stages, and signal processing due to its high-frequency characteristics.  

**Features:**  
- High current gain (h_FE) for small-signal amplification.  
- Low noise performance suitable for RF applications.  
- Compact package (typically SOT-23 or similar).  
- Fast switching speed.