### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Description:**  
The KTD1304 is a general-purpose NPN transistor designed for low-power amplification and switching applications. It is suitable for use in consumer electronics, signal processing, and driver circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- RoHS compliant  

(Source: DIODES Incorporated datasheet)

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power circuits and signal amplification.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official KEC datasheet.